东芯半导体与紫光宏茂共同助推中国存储产业发展

来源:互联网 发布于 2018-10-08  浏览 次  

9月30日,中国领先的嵌入式存储芯片设计公司东芯半导体与紫光宏茂微电子共同宣布,双方初步达成了建立战略合作关系的一致共识,将就嵌入式存储芯片的封装测试进行全面合作,促进行业发展。

东芯半导体总经理王超等一行于9月29日与紫光宏茂董事长和总经理等举行了会晤,在互相介绍了双方公司近况后,双方就构建战略合作伙伴关系达成一致共识。并就双方的合作项目进行了细致的磋商。

据悉,后续双方签署了正式的战略合作协议后,东芯半导体将与紫光宏茂在嵌入式存储领域封装测试展开全面的合作。

东芯半导体总经理王超表示,本次与紫光宏茂达成战略合作,极大地丰富了公司在国内封装测试领域生产环节,保障了公司在国内从设计、制造到封测的全产业链能力。本次合作不仅能够帮助双方进一步提升整体运营效率、降低运营成本、优化产业模式,还将提升公司在存储行业的地位,加快推动国产嵌入式存储的大规模应用,加快国家存储器战略的实施。

紫光宏茂表示很高兴与东芯开展合作,共同推动国内嵌入式存储芯片产业的发展,实现双赢。

关于东芯半导体

作为我国领先的嵌入式存储芯片设计公司,东芯半导体聚焦于中小容量的NOR Flash、NAND Flash芯片的设计、生产和销售,并具有DRAM产品设计能力,是目前国内唯一可以同时提供NAND、NOR、DRAM设计工艺和产品方案的本土存储芯片设计公司,专注于为移动及消费类需求提供多样化的产品解决方案。

东芯半导体成立于2014年11月,注册资金约2.8亿元,在中国大陆、中国香港、韩国都设有研发及分支机构,控股股东为东方恒信。公司于2015年4月收购了韩国知名存储芯片厂商Fidelix25.28%股权,成为其第一大股东。目前,公司已完成A轮融资,引入了中芯聚源、中金锋泰等战略股东。

产品方面,东芯半导体于2014年12月联合中芯国际共同开发了24nm的NAND Flash,于2015年10月成功流片国内首颗38nm1G SPI NAND芯片,于2016年7月成功流片国内首颗24nm4G SLC NAND芯片,于2017年9月成功流片国内首颗38nm2G SPI NAND,使得中国存储芯片设计能力与国际先进的差距不断缩小。

关于紫光宏茂

紫光宏茂微电子为紫光集团与南茂科技的合资公司,其于2002年起便专注于存储器的封装与测试,有多样化的封测程解决方案,先进的生产工艺及丰富的技术团队,具有完善的品质体系,公司成立初期便通过汽车质量体系认证,并拥有十余年的车规产品生产经验,完备的可靠性及失效分析的实验能力。